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SI PI EMC仿真和模型简介
发布时间:2018-07-26
浏览量:2798
1、
SI
PI
EMC
仿真程序
电路系统的设计人员有时需要对系统中的部分电路作电压与电流关系的详细分析,此时需要做晶体管级仿真(电路级),这种仿真算法中所使用的电路模型都是最基本的元件和单管。仿真时按时间关系对每一个节点的I/V关系进行计算。这种仿真方法在所有仿真手段中是最精确的,但也是最耗费时间的。
SPICE(Simulation program with integrated circuit emphasis)是最为普遍的电路级模拟程序,各软件厂家提供提供了Vspice、Hspice、Pspice等不同版本spice软件,其仿真核心大同小异,都是采用了由美国加州Berkeley大学开发的spice模拟算法。
SPICE可对电路进行非线性直流分析、非线性瞬态分析和线性交流分析。被分析的电路中的元件可包括电阻、电容、电感、互感、独立电压源、独立电流源、各种线性受控源、传输线以及有源半导体器件。SPICE内建半导体器件模型,用户只需选定模型级别并给出合适的参数。
2、
元器件
模型
为了进行电路模拟,必须先建立元器件的模型,也就是对于电路模拟程序所支持的各种元器件,在模拟程序中必须有相应的数学模型来描述他们,即能用计算机进行运算的计算公式来表达他们。
一个理想的元器件模型,应该既能正确反映元器件的电学特性又适于在计算机上进行数值求解。一般来讲,器件模型的精度越高,模型本身也就越复杂,所要求的模型参数个数也越多。这样计算时所占内存量增大,计算时间增加。而集成电路往往包含数量巨大的元器件,器件模型复杂度的少许增加就会使计算时间成倍延长。反之,如果模型过于粗糙,会导致分析结果不可靠。因此所用元器件模型的复杂程度要根据实际需要而定。
如果需要进行元器件的物理模型研究或进行单管设计,一般采用精度和复杂程度较高的模型,甚至采用以求解半导体器件基本方程为手段的器件模拟方法。二微准静态数值模拟是这种方法的代表,通过求解泊松方程,电流连续性方程等基本方程结合精确的边界条件和几何、工艺参数,相当准确的给出器件电学特性。
而对于一般的电路分析,应尽可能采用能满足一定精度要求的简单模型(Compact model)。
电路模拟的精度除了取决于器件模型外,还直接依赖于所给定的模型参数数值的精度。因此希望器件模型中的各种参数有明确的物理意义,与器件的工艺设计参数有直接的联系,或能以某种测试手段测量出来。
目前构成器件模型的方法有两种:
一种是从元器件的电学工作特性出发,把元器件看成‘黑盒子’,测量其端口的电气特性,提取器件模型,而不涉及器件的工作原理,称为行为级模型。这种模型的代表是IBIS模型和S-参数。其优点是建模和使用简单方便,节约资源,适用范围广泛,特别是在高频、非线性、大功率的情况下行为级模型几乎是唯一的选择。缺点是精度较差,一致性不能保证,受测试技术和精度的影响。
另一种是以
元器件
的工作原理为基础,从元器件的数学方程式出发,得到的器件模型及模型参数与器件的物理工作原理有密切的关系。SPICE 模型是这种模型中应用最广泛的一种。其优点是精度较高,特别是随着建模手段的发展和半导体工艺的进步和规范,人们已可以在多种级别上提供这种模型,满足不同的精度需要。缺点是模型复杂,计算时间长。
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