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中国江存储近日宣布，已经攻克128层堆叠3D QLC闪存技术，单颗容量做到1.33Tb，创造单位面积存储密度、I/O传输速度、单颗芯片容量三个世界第一，这也是中国首次跻身全球第一队列水平。

当前，整个闪存行业都在全面转向100+层堆叠，其中东芝、西部数据是112层，美光、SK海力士是128层，三星是136层，Intel则做到了144层。三星日前就宣布，正在研发160层及以上的3D闪存，将成为第七代V-NAND闪存的基础。

在今天的第一季度财务会议期间，同样来自韩国的SK海力士也确认，将会加速推进128层3D闪存在今年第二季度投入大规模量产。

SK海力士目前的闪存主力是96层堆叠，128层技术遭在去年年中就已经宣布，支持TLC、QLC两种闪存类型，当时号称堆叠密度、容量密度都是最高，单颗芯片容量1Tb(128GB)，集成超过3600亿个闪存单元。

SK海力士在去年底开始小批量出货128层闪存，今年初的CES上还展示了两款使用这种闪存的高端SSD，型号分别为Gold P31、Platinum P31，都是M.2 22110形态，采用自家主控，持续读写最高3.5GB/s、3.2GB/s，最大写入寿命2TB/1500TBW。

接下来，SK海力士还会冲击176层闪存。

长江存储的128层闪存未透露具体量产时间，只说在今年晚些时候。对此大家也不必过于苛求，认为长江存储只会讲PPT、量产太慢之类的。

一方面，从攻克技术到投入量产，任何厂商都需要一定的时间，SK海力士的128层闪存可是去年年中就宣布了，现在仍未大规模量产，前后耗时将近一年，长江存储即便到今年第四季度量产也不比这慢。

另一方面，我们在半导体行业的底子薄是有目共睹的，长江存储能从64层跨越发展到128层，从落后一代到比肩一流，这本身就堪称奇迹。

中国的高速发展让国际恐慌，各个巨头开始加速研发和量产。